在2026年10月于上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇披露，长鑫4F²DRAM架构研发取得关键进展，融合自研技术的新一代DDR5 RDIMM产品预计将于今年年底推出。这一消息传出后，海外存储板块出现明显波动。
据凤凰网财经报道，DRAM行业中6F²架构已统治多年，而4F²架构将晶体管由横向排列改为纵向竖立，按行业测算，在同样设计规则下芯片面积比6F²结构缩小约30%。长鑫自成立起即启动4F²架构研究与专利布局，2021年发布大陆首篇4F²架构相关学术论文，此后在2023年、2025年持续迭代研发成果。今年8月，其自主研发的LPDDR6实现量产，峰值传输速率达12800Mbps，单颗最高容量16GB，为全球首次落地商用；9月，第五代DRAM技术平台（G5）正式量产，依托四重曝光技术将内存阵列有源区半间距压缩至11.95纳米。
海外市场的反应集中出现在10月。10月6日当天，美股西部数据单日重挫6.9%，希捷科技下跌9.2%，美光、闪迪分别收跌1.7%和2.6%。截至10月13日收盘，美光自10月6日以来累计下跌8.8%，闪迪累计下挫10.7%。韩国市场波动更为剧烈：自10月6日起，KOSPI指数连续5个交易日累计下跌968.39点、跌幅13.83%；10月13日，三星电子单日下跌7.39%，SK海力士下跌10.09%，KOSPI重挫5.46%，韩国交易所一度启动SIDECAR暂停程序化卖盘。同日，日本铠侠控股放量大跌13%。
不过市场观点并不一致。大和证券在近期研报中表示市场反应过度，维持对全球存储器行业的正面看法。瑞穗证券TMT分析师Jordan Klein则指出，长鑫“年底推出产品”不能与三星2028年的量产目标直接比较，“发布并不等于制造成熟度、良率或成本竞争力”。长鑫科技此前在公告中亦表示，公司基于第五代工艺技术平台的产品尚未形成规模销售，新产品导入客户需经过验证与认证周期。
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