橘猫新闻 综合报道 英特尔近日公布了一项名为XBM（Cross-Batch Memory）的新型存储专利，外界普遍认为这是针对下一代高带宽内存HBM4的竞争方案。该技术采用后段晶体管设计与UCIe接口，旨在实现更高带宽、更低成本，并计划于2030年前后进入商业化阶段。
据英特尔提交的专利文件，XBM存储堆栈由封装基板、可选基础芯片及堆叠存储芯片构成。每颗存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，晶体管被移至BEOL（后端金属互连层）。英特尔指出，这一设计相比传统前端晶体管DRAM，可显著提升面积利用率和TSV（硅通孔）密度，从而带来明显的带宽提升。
在性能指标上，XBM芯片的单颗容量在0.5GB至5GB之间，封装尺寸与HBM4保持一致。该技术将连接到速率为32 GT/s的UCIe I/O模块，并支持包括MoP（Memory on Package）在内的多种封装选项。英特尔表示，这使得XBM能在更小的形态解决方案中提供更高的带宽和容量，成本相比HBM4更低。
近年来，HBM一直是AI加速器的标准内存配置，但部分厂商因供应短缺、价格和功耗等因素，已转向LPDDR。不过LPDDR虽然更高效、容量更大，带宽不足的问题始终存在。今年初，高通曾提出HBC（Hybrid Bonding Cache）架构，采用3D堆叠芯片方案，通过2D有机基板与SoC连接，底部集成近内存加速器单元，上方利用TSV叠加LPDDR DRAM堆栈。
值得注意的是，英特尔今年初已宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，但该技术尚未进入商业化阶段。业界猜测，从目标定位、性能指标和商业化时间表来看，XBM与ZAM存在密切联系，甚至可能是同一技术的不同表述。
