橘猫新闻 综合报道
长鑫科技在4F DRAM架构研发上取得关键进展，并计划于年底推出融合该技术的新一代DDR5 RDIMM产品。10月9日至10日，第四届集成芯片和芯粒大会在上海举行，长鑫科技总裁曹堪宇在大会上发表演讲时披露了这一消息。
据曹堪宇介绍，长鑫自成立以来即启动4F架构的研究与专利布局，公开专利族超过300件，数量领先海内外厂商。公司于2021年发布4F架构相关论文，并在2023年、2025年的两篇论文中持续分享研发进展。
曹堪宇表示，长鑫4F架构最核心的特色在于DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。该晶体管采用垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管结构有助于面积微缩，提升存储密度。
目前DRAM行业主流架构为6F。6F是衡量DRAM存储单元面积的核心指标。在DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管和一个电容器组成，F代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距。4F意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，单位面积内晶体管数量增多，从而实现存储密度提升。
从6F到4F的跨越，本质上是晶体管沟道方向从水平布局向竖立布局的根本性变革，这意味着6F时代的设计和工艺流程无法完全复用，需要整合新一套工艺流程。据悉，长鑫科技在研发过程中对多项核心工艺流程展开深度技术探索，全面优化涵盖字线金属化、位线成型以及结激活等关键工艺，以实现最优的性能与功耗比。
随着6F架构微缩难度越来越大，4F架构再度成为业内积极探索的方向。其最大变化在于将DRAM与CMOS工艺解耦，再通过晶圆级混合键合方式实现高速互联。这是DRAM技术从二维缩放迈向三维集成的关键转折点，破除了传统一体化制造中长期存在的工艺瓶颈，允许独立优化逻辑性能和存储单元的密度与可靠性。
据悉，长鑫自2019年开始推进混合键合相关技术的独立自主研发，目前已公开的专利数量已进入全球前十水平。2025年，长鑫在IEDM发表论文，介绍多层水平单元堆叠DRAM架构研发成果，这是长鑫首次在12英寸晶圆平台上完成DRAM和CMOS晶圆级键合的实验验证。
记者获悉，DDR5 RDIMM作为服务器市场的主流配置，其应用环境对产品的性能指标、运行稳定性及兼容性提出极高要求。长鑫将4F架构的首代产品定为DDR5 RDIMM，将直面服务器内存领域极高的技术与工程壁垒。
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