长鑫4F²架构DRAM完成工程样片验证

10月31日晚间，长鑫科技在第三季度业绩交流会中表示，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。这是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台基于4F²架构。

按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。长鑫此前在公开演讲中表示，预计年底将面向应用难度最高的服务器领域，推出融合4F²先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

4F²被视为破解DRAM单元微缩瓶颈、迈向3D DRAM的关键路径。DRAM技术演进始终围绕密度提升，但进入10nm级后，原有6F²已难以为继，逼近物理极限。IEEE国际器件与系统路线图（IRDS）明确指出，当半间距微缩日趋困难时，从6F²向4F²单元的转型是维持成本趋势最有前景的路径。

4F²单元面积为2F×2F，约为主流6F²单元的三分之二，已成为全球主要存储厂商的共同选择。SK海力士已将4F²垂直栅平台与3D DRAM并列为两大技术支柱，三星在ISSCC 2026发表10nm级4F²论文，其CTO今年10月公开确认也在研发；业内亦视4F²为通往3D DRAM的必经阶段。

长鑫4F²架构的核心是自研VSG（垂直包围栅）晶体管。其垂直包围沟道结构栅控更强，可缓解短沟道效应与漏电；架构层面，该方案将DRAM与CMOS的制造工艺解耦，再通过晶圆级混合键合实现高速互联，使逻辑性能与存储密度、可靠性得以分别优化。

就公开披露的进度而言，长鑫在4F²工程化推进上处于全球前列。三星、SK海力士均已将4F²列为10nm级以下的关键方向，长鑫率先完成工程样片验证，如后续进展顺利，有望成为全球首个落地4F²的企业。