长鑫存储技术突破引发芯片股抛售潮 美光、SK海力士单日大跌5%

长鑫存储技术突破引发芯片股抛售潮 美光、SK海力士单日大跌5%
长鑫存储技术突破引发芯片股抛售潮 美光、SK海力士单日大跌5%

橘猫新闻 综合报道

受中国存储芯片厂商长鑫存储(CXMT)公布新型存储单元设计关键进展影响,全球芯片板块周二遭遇大规模抛售。美光(MU)与SK海力士(SKHY)股价单日大跌5%,韩国综合指数(KOSPI)大幅下挫,拖累亚洲芯片股集体走低。

韩国本土市场上,SK海力士(000660.KS)和三星电子(005930.KS)分别下跌10%和7%,两家企业已连续五个交易日收跌。这两家芯片企业的总市值占韩国股市总市值的一半以上,其持续下行对KOSPI指数形成显著拖累。

本次抛售潮的导火索,是长鑫存储公布了一项新型存储单元设计的关键进展,该技术可在更小物理空间内实现更大存储容量。长鑫存储计划在2026年底推出基于该架构的新一代服务器内存产品。

这项技术突破或将加剧行业竞争。目前三星、SK海力士以及美国美光三家企业合计占据全球DRAM市场约90%的份额,长鑫存储的入局可能打破现有寡头格局。

过去一年,全球人工智能数据中心建设带动内存与存储芯片需求暴涨,美光、SK海力士、三星均成为AI行情的主要受益者,三家存储芯片企业的市值均曾突破1万亿美元。

上周三星公布第三季度利润达800亿美元,但这份业绩预告并未带动芯片板块其余个股走强。美光此前第四季度营收利润双双超出市场预期,同时给出强劲的下一季度业绩指引,然而市场对竞争格局变化的担忧显然压过了短期业绩利好。

本文来源: 新浪财经 查看原文 →
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