橘猫新闻 综合报道 8月28日，韩国存储芯片巨头SK海力士在美国印第安纳州西拉法叶举行先进存储芯片封装工厂奠基仪式，标志着美国政府重建战略性产业国内供应链和制造能力的努力取得新进展。
该工厂占地133.5英亩，投资超过40亿美元，将成为SK海力士在美国的首个高带宽存储器（HBM）封装基地。SK海力士首席执行官Kwak Noh-Jung在仪式上表示，工厂洁净室预计于2028年10月前启用，下一代HBM计划在2029年下半年开始量产。全面投产后，该基地预计雇佣约1000人，成为重要的HBM生产枢纽。
HBM是人工智能硬件热潮的关键组成部分，英伟达最先进的AI加速系统组装即需依赖此存储器。这一需求推动SK海力士成为韩国市值第二高的企业，仅次于同样受益于HBM及存储产品需求激增的三星电子。
Kwak在活动上强调，该工厂将有助于强化美国本土AI芯片供应链，华盛顿方面认为这对经济和国家安全至关重要。根据公司规划，在韩国生产的晶圆将运往印第安纳州进行封装和测试，随后供应给美国客户。
项目预计通过建设、运营及相关产业创造约7000个直接和间接就业岗位。此外，SK海力士已与邻近的普渡大学签署协议，将在HBM、系统集成和先进封装研究领域展开合作，并计划在生产线旁建设先进封装研发测试平台。